芯片制造的三个过程中,制造业落后10年

作为科技产业，在信息化、数字化的基础上，芯片自诞生以来就受到了广泛的关注和蓬勃发展。近年来，由于美国想要切断全球芯片供应链，打破全球供应链一体化模式，引起了全球恐慌，我们看到世界各国都在建立芯片产业链，试图摆脱或减少对美国的依赖。

而中国也不例外，毕竟我们是美国打压的重点对象之一。

近年来，国内半导体材料、设备、技术等方面不断突破，但同时，我们也发现了一个尴尬的事实，那就是在目前芯片制造的三个过程中，设计、密封测试与世界顶级水平基本同步，但制造业落后10年。

先说设计。目前世界上最先进的芯片BAS40-7设计水平是3nm，中国也有同样的水平。虽然华为麒麟不能大规模生产，但华为的研发一直没有，与世界顶级水平同步。

另外三星量产3nm当时国内厂商是第一批客户，也说明国内已经有3nm芯片的设计能力。

除此之外，国内还有三大封测厂商，排名世界前十，分别是长电科技、通富微电、天水华天，这三大封测企业排名第3、5、6名。

这三大企业也表示拥有4nm芯片封测技术，至于3nm，因为刚量产，所以没有说，但是考虑到密封测试的门槛不高，这三大企业同步实现了3nm封测，也没问题。

最落后的是芯片制造。大陆最强的芯片制造企业是中芯。目前对外公开，量产工艺为14nm，2019年已量产。

不过由于缺EUV，然后卡在14nm，2022年被列入黑名单，进一步限制了先进工艺设备的进口。估计目前工艺突破比较困难。因此，中芯目前的战略显然是提高成熟工艺的生产能力，首先解决国内晶圆生产能力的差距，慢慢缓慢。

世界顶级芯片技术是3nm，从14nm到3nm工艺。那么从14开始nm到3nm，需要多长时间？我们参考下台积电、三星、英特尔这三大巨头。

2015年台积电实现16年nm，然后在2023年实现3nm，8年后，三星的时间大致相同，也是8年左右。至于intel，从14nm到3nm，花的时间会更长，预计9年左右。

所以中芯要提升到3nm，即使先进设备不受限制，估计也要10年左右。目前，先进设备和一些技术仍然受到限制，10年内可能无法赶上。

所以总的来说，目前国内最重要的缺点就是芯片制造能力。只要提高制造能力和设计能力，密封、测试不是问题，随时可以等同于国际顶级水平。