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复旦大学宁波研究院重大产业化项目,清纯半导体研发基地启用


? ? ? ?2月3日,复旦大学宁波研究院重大产业化项目——清纯半导体研发基地举行启用仪式。

  清纯半导体消息显示,清纯半导体研发基地总面积4600平米,建设四大实验平台:一楼建设器件性能测试平台、晶圆测试及老化平台;三楼建设可靠性及应用平台;四楼建设器件测试及老化平台。实验室总规划面积超2500平米,配备了国际领先的功率器件参数测试及可靠性设备,平台总投入近亿元,具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力。

  清纯半导体成立于2021年3月,是一家碳化硅功率器件设计和供应商。宁波前湾新区消息显示,清纯半导体已正式量产首款国产15V驱动SiC MOSFET,推出国内最低导通电阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET,同时获得AEC-Q101车规认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核。

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