国博电子：拟开展射频集成电路产业化项目二期建设

大半导体产业网消息，国博电子2月22日发布公告称，根据射频集成电路产业化项目整体规划，公司拟使用自有或自筹资金购买位于南京市江宁区金鑫西路以东、凤矿路以西地块的土地使用权（最终购买金额和面积以实际出让文件为准），并开展射频集成电路产业化项目二期建设。

公告显示，本次项目投资预计为6.98亿元，其中土地使用权购置费预计0.40亿元，设计采购施工总承包费用预计6.02亿元。

据了解，射频集成电路产业化项目总投资16.62亿元，分两期建设。目前一期已基本完成中试厂房、芯片厂房和模块厂房的建设和工艺设备购置。