可控硅、整流晶闸管RC阻容吸收电路的计算

电容的选择：

C=（2.5-5倍）&TImes;10的负8次方&TImes;IF
1F=1000Uf1Uf=1000nF1Nf=1000pf
If=0.367Id
Id-直流电流值

如果整流侧采用500A的晶闸管（可控硅）可以计算
C=（2.5-5）&TImes;10的负8次方&TImes;500=1.25-2.5F 选用2.5F，1kv 的电容器

电阻的选择：

R=（（2-4） ×535）/If=2.14-8.56 选择10欧
PR=（1.5×（pfv×2πfc）的平方×10的负12次方×R）/2Pfv=2u（1.5-2.0）
u=三相电压的有效值

RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。

大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。

R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。

C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。

看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。