光敏电阻和光电二极管优劣势分析，电阻电桥搭建几点重要指标
光敏电阻和光电二极管优劣势分析：
光敏电阻Photoresistor（光导效应）在无光照的情况下电阻值比较高，当它受到光照的情况下，阻值下降跟多，导电性能明显加强。光敏电阻的主要参数有暗电阻，暗电流，与之对应的是亮电阻，亮电流。它们分别是在有光和无光条件下的所测的数值。亮电阻与暗电阻差值越大越好。在选择光敏电阻的时候还要注意它的光照特性，光谱特性。响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高），一般以S，Se，Te的金属化合物为主（实际上原始周期表中O，S，Se，Te处于同一列，Zn，Cd，Hg也处于同一列）。有单晶和多晶。
光电二极管Photodiode（光伏效应）在无光照的条件下，其工作在截至状态，跟一般的二极管特性差不多，都具有单向导通性能。当受到光照时，PN区载流子浓度大大增加，载流子流动形成光电流。
电阻电桥搭建几点重要指标：
1. 电阻桥定义解释
惠斯通电桥是由四个电阻组成的电桥电路，这四个电阻分别叫做电桥的桥臂，惠斯通电桥利用电阻的变化来测量物理量的变化，单片机采集可变电阻两端的电压然后处理，就可以计算出相应的物理量的变化，是一种精度很高的测量方式。其电路形式如下图所示。
在电桥中有三个电阻阻值是固定的分别为R1，R2，R3，第四个电阻是可变的为Rx，Rx发生变化时，图中B，D两点之间的电压发生变化，通过采集电压的变化就可以知道环境中物理量的变化，而从实现测量的目的。下面举例介绍电桥电路的计算方式。
2. 电阻桥相关计算
假设流过R1，R2桥臂的电流为I1，流过R3，Rx桥臂的电流为I2，电桥供电电压为VCC，如下图所示。
通过欧姆定律可以计算出每个电阻两端的电压。在R1和R2这两个桥臂上，R1，R2将VCC电压分压，R2电阻两端得到的电压即为V1；在R3和Rx这个桥臂上，R3，Rx将VCC电压分压，R3电阻两端得到的电压即为V2。下面分别用欧姆定律计算V1和V2。
流过电阻R1和R2的电流I1：
R2两端的电压V1：
流过电阻R3和Rx的电流I2：
R3两端的电压：
V1和V2的电压差：
由此可以看出：
如果4个电阻都相等，即R1=R2=R3=Rx，那么ΔV=0，即电桥处于平衡状态；
Rx发生变化会导致△V发生变化；
3.电阻桥的应用
在实际使用中，我们通常将其中三个电阻值固定，而将另外一个电阻换成热敏电阻、压敏电阻、PT100等，这时候就可以用电桥来测物理量了。如果将PT100接入电桥，随着环境温度的变化，PT100的阻值发生变化导致ΔV发生变化，将差分电压ΔV通过差分运放放大后进入单片机的AD采样，再对照PT100的电阻-温度对应表就可以知道当前环境的温度了。
