美国禁止接受芯片补贴者在中国新建晶圆厂！台积电、三星陷入两难！

近日，美国参议院已经通过了《美国芯片法案》?，这个用于半导体生产补贴的法案，很可能只需要几天时间就能在众议院通过并由总统签署成为法律，这将为芯片制造商在美建厂打开大门。

虽然所有建造新晶圆厂的芯片生产商都有资格获得它们，但他们必须满足某些条件。?

从?《美国芯片法案》的文本中可以看出（EETOP公众号后台回复“芯片法”获取《美国芯片法案》章节摘要），获得联邦激励资金的公司被禁止在对美国构成国家安全威胁的特定国家扩大或建立某些先进半导体的新制造能力。??

虽然该法案没有澄清它提到的制造节点以及具体国家，但是美国情报部门认为有四个国家对国家安全构成威胁：中国、伊朗、朝鲜和俄罗斯。不过我们知道没有一家跨国芯片制造商会在伊朗、朝鲜或俄罗斯拥有或新建晶圆厂，所以显然芯片法案所指的所谓构成国家安全的特定国家就是指中国大陆。立法者不希望芯片基金的接受者在中国扩大或建立新的半导体制造能力。

至于确切的节点，考虑到美国商务部正在研究禁止让中芯国际获得生产基于Finfet的14纳米级节点芯片生产设备的可能性，外媒推测，14纳米/16纳米及更新的技术被认为是先进的。

目前，GlobalFoundries、英特尔、三星代工、台积电和德州仪器要么在美国建立新的晶圆厂，要么正在扩大现有产能，只要符合要求，他们都有资格获得联邦政府的财政补贴和激励措施。美光去年表示，它正在考虑在美国建立新的研发设施，并可能在美国建造一座晶圆厂，作为其未来十年?1500 亿美元研发和资本支出计划的一部分。

外媒指出有两家公司正在美国建立新的半导体制造设施，并恰好在中国拥有晶圆厂，这两家台积电和三星。?

上个月，台积电披露了在中国江苏省南京市扩建 Fab 14 的计划。台积电的 Fab 14 使用台积电的 N28 和各种 N28 衍生的特殊制造工艺生产芯片，但目前尚不清楚该法案是否将 28nm 级节点视为“先进”。??如果视为先进的话那么按照美国芯片法案规定的话，台积电在美国建厂的话就无法获得补贴。除非停止在中国的扩建计划。

三星半导体在西安生产 3D NAND 和 DRAM 内存，并根据需求不断审查其在中国工厂使用的产能和节点。三星尚未宣布对其西安工厂进行任何重大扩建，但为了保持竞争力，它必须采用新的制造工艺，而采用新工艺可能会影响工厂的生产力。另外，美国国会议员们是否认为DRAM和NAND技术是先进的，是否认为采用新节点是扩展也是未知数。所以三星能否获得芯片补贴也存在变数。