Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12�?30V MOSFET

奈梅亨，2022�?7�?27日：基础半导�?器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特�?�，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久�??

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新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表�?�助听器和�?�机等高度小型化电子产品，迎合了更智能�?�功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的�?求�??

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RDS(on)与竞争器件相比�?�能提升�?25%，可�?大限度降低能耗，提高负载�?关和电池管理效率。其卓越的�?�能还表现在自发热降低，从�?�增强可穿戴设备的用户舒适度�?

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具体而言，在VGS =4.5V时，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分别�?50mΩ�?55mΩ。因此，在市场上类似�?30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE单个芯片面积导�?�电阻最低�?�此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，还可提供额定2kV ESD保护（人体模�? �? HBM）�?�这两款MOSFET的额定漏极电流最高均可达4A�?

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除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外，Nexperia还推出了�?款采用DSN1010封装�?12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V时的�?大RDS(on)�?16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具备市场领先的效率�?

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30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN现已供货，可从Nexperia获得。更多详情，请访�?https://www.nexperia.com/mosfets