2024碳化硅起飞成长年，众多厂商加速扩厂

全球的制造商正在加速碳化硅（SiC）的制造，目前预计这一成长将从2024年开始真正起飞。

许多领导SiC的IDM厂商纷纷宣布扩大其制造设施。Wolfspeed在纽约州北部建立一座新的8吋晶圆厂；博世（Robert Bosch）正在德国增加近40,000平方英尺的新SiC专用洁净室；罗姆（Rohm）在日本开设一家新厂，目标在未来五年内将SiC制造量提高5倍；英飞凌（Infineon）开始在马来西亚建设新的SiC工厂；东芝（Toshiba）计划到2024年将SiC产量提高3倍，到2026年提高10倍。

意法半导体（STMicroelectronics）表示，SiC专用设备的主要挑战是晶圆处理及多种制程要求。由于宽能隙材料固有的化学物理特性，使得制造商必须在制造流程中使用了新的设备和制程。与硅为基础的功率元件的制程相比，高温磊晶和离子布植（Ion implantation）制程和热处理更是需要新设备及制程。

换言之，由于SiC的制程和设计紧密相关，所以主要仍是IDM主导的业务。但晶圆代工厂依然有机会。

例如：X-Fab是第一家纯SiC代工厂商，早期就增加了专用SiC制造设备，如布植机和SiC磊晶。因此，X-Fab成功地建立了稳固的SiC客户基础；苏格兰的Clas-SiC是一家全新且全面营运的端到端加工和生产的开放式6吋晶圆厂，专门针对SiC加工而生。

PowerAmerica联盟指出，通过调整现有制程、设备并购、购买关键的新工具，即可让一条6吋的硅晶圆生产线以大约2000万美元的价格转换成SiC生产线。这种正为旧硅晶圆厂注入新活力。

除了制造商之外，设备商也在该市场上进行大量投资。例如：科林（Lam Research）在SiC制造进行多方部署，包括：SiC沟槽蚀刻、介电沉积和蚀刻、厚金属加工和器件钝化。随着技术在未来几年从6吋过渡，Lam将专注于确保其应对8吋的关键应用。获 取 更多前沿科技?研究 进展访问：https://byteclicks.com

应用材料（Applied Materials）推出了两种专用于SiC的新工具。从工程的角度来看，SiC晶片的功耗取决于汲极电流（I?_d）的平方和「导通」电阻（R?_on）。为了提高效率，应用材料通过增加电子移动来降低「导通」电阻。为了生产具最高品质表面的均匀晶圆，应材公司开发了Mirra Durum CMP系统，该系统将抛光、材料去除测量、清洁和干燥整合在一个系统中。

总之，SiC的崛起正在让IDM和晶圆代工厂分别与相关供应商合作改善其制程，期待能够交货期缩短，产量增加，并早日能在2024年达到起飞的阶段。

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