台积电CEO称3nm工艺量产正按计划推进 第二代1年后量产

　　7月15日消息，据国外媒体报道，三星电子6月30日在宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺，已在当日开始初步生产芯片。
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　　而在三星电子的3nm制程工艺开始初步生产芯片之后，台积电3nm制程工艺的量产进展，也就备受关注，台积电的CEO魏哲家，在周四下午的财报分析师电话会议上，也给出了回应。
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　　台积电公布的文件显示，在周四下午的财报分析师电话会议上，魏哲家透露他们在按计划推进3nm工艺在下半年以可观的良品率量产。
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　　另外，魏哲家在会上还表示，他们预计3nm制程工艺在明年上半年就会为他们带来营收，在高性能计算和智能手机应用的推动下，产能在明年将平稳提升。
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　　同此前已量产的7nm和5nm一样，台积电的3nm工艺也会有第二代(N3E)。魏哲家在财报分析师电话会议上也透露，他们的N3E工艺，将进一步扩展他们的3nm工艺家族，性能、功耗和良品率将进一步提升，计划在3nm工艺量产一年后量产。
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　　在3nm制程工艺上，台积电和三星电子是不同的路线。三星电子的3nm制程工艺，率先采用全环绕栅极晶体管架构，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。
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