逆向超车美国复活90nm工艺：性能50倍于7nm芯片
在先进芯片工艺上，美国厂商也落后于台积电、三星了，这两家量产或者即将量产的7nm、5nm及3nm遥遥领先，然而美国还有更多的计划，并不一定要在先进工艺上超越它们，甚至准备逆行，复活90nm工艺，制造出来的芯片性能是7nm芯片的50倍。
美国晶圆厂SkyWater日前宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助，后者将给予2700万美元以推动开发90nm战略抗辐射 （RH90） FDSOI 技术平台，总的投资计划高达1.7亿美元。
相比台积电、三星、Intel等半导体公司，SkyWater不仅规模小，而且资历也浅，2017年成立，晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先进，主要生产130nm及90nm，部分先进芯片才到65nm级别。
然而他们却得到了美国DARPA的青睐，成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划，该计划在5年内投资15亿美元，推动美国半导体行业发展。
ERI计划中，SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺，而是用90nm工艺制造3D SoC芯片，通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可达7nm芯片的50倍。
当然，这些技术现在还没有实现完全突破，毕竟这样的做法是之前没有的，一旦成功了，可能是改变半导体行业规则的新技术。
