德国研究人员通过强光-物质耦合机制使黑暗的半导体发光

德国奥登堡大学（University of Oldenburg）的研究人员通过强光-物质耦合控制半导体材料二硒化钨的二维超薄样品中的能级，对材料特性进行修改，提高了暗二维材料的发光效率。

研究人员将二硒化钨样品放在两个专门准备的镜子之间，并使用激光激发材料，进而在光粒子之间建立耦合（光子）和激发电子，使得材料亮度增加。光效应可用于优化半导体的光学特性，从而有助于开发新型LED、太阳能电池、光学元件和其他应用。

相关研究成果发表在《自然·通讯》（Nature Communications）期刊上。

在实验中，奥登堡大学物理学家将激光引导到具有各种光学元件的极薄半导体样品上。

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