三星否认“3纳米芯片量产延后”：仍按进度于第二季度开始量产

据新浪科技消息，三星否认了有关延后3纳米芯片量产的报道。三星的一位发言人通过电话表示，目前仍按进度于第二季度开始量产3纳米芯片。

此前有媒体报道称，由于良率远低于目标，三星3纳米芯片量产将再延后。

媒体报道表示，三星为赶超台积电，加码押注 3nm GAA 技术，并计划在 2025 年量产以 GAA 工艺为基础的 2nm 芯片。

消息称，三星在 6 月初将 3nm GAA 工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用 GAA 技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台积电的差距。3nm 工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%，同时与 5nm 工艺相比，芯片面积减少了 35%。