单台卖27亿元，购买要排队！下一代EUV光刻机进展神速，2024年进FAB
EETOP消息，据外媒《Anandtech》报道，如今，最先进的芯片采用?5/4?纳米级工艺制造，使用?EUV?光刻?ASML?的?Twinscan NXE:3400C（和类似）系统，具有?0.33?数值孔径?(NA)?光学器件，可提供?13 nm?分辨率。该分辨率对于?7 nm/6 nm?节点（间距为?36 nm ~ 38 nm）和?5nm?节点（间距为?30 nm ~ 32 nm）的单一曝光技术已足够。但随着间距低于?30 nm（超过?5 nm?节点），3纳米分辨率加双重曝光技术，将是未来几年内主流技术应用。
对于后?3nm?节点，ASML?及其合作伙伴正在开发一种全新的?EUV?工具——TwinscanEXE:5000?系列——具有?0.55 NA（高?NA）透镜，能够实现?8nm?分辨率，使3纳米及更先进节点制程尽可能避免使用双重或多重曝光。
但为了保持半导体的性能、功率、面积和成本 (PPAc)，领先的逻辑芯片和存储设备制造商愿意采用新技术，而高 NA EUV光刻机对于后 3nm 至关重要节点。因此，对高 NA s设备的需求非常高。??
不久前，ASML执行长Peter Wennink表示，High-NA EUV光刻光曝光设备取得良好进展，已开始于荷兰新无尘室打造第一部High-NA EUV光刻曝光设备。?第一季度ASML收到多份EXE：?5200订单，5月也收到其他EXE：5200订单。?目前有三个逻辑芯片和两个内存客户订单。?未来设备交货将为曝光微影技术性能和生产力提供更多发展。
