机构：国产DRAM内存芯片和三星的技术差距缩短至5年

具体来说，三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片，国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm（1y或者说16/17nm）。

一般而言，DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。

按照正常节奏，国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距，可目前有一个比较棘手的问题在于，三星和SK海力士已经为生产更先进的DRAM芯片引入了EUV（极紫外光刻）设备，而这对我们来说，暂时还没法获取。