新型超薄电极材料：离下一代半导体更近一步
为了实现电影中经常看到的人工智能系统和自动驾驶系统，在日常生活中，作为类脑处理器必须能够处理更多的数据。然而，作为计算机处理器的重要组成部分的基于硅的逻辑器件具有随着小型化和集成化的进步处理成本和功耗增加的局限性。
为了克服这些限制，正在对基于原子层级非常薄的二维半导体的电子和逻辑器件进行研究。然而，与传统的硅基半导体器件相比，通过掺杂在二维半导体中控制电学特性更加困难。因此，用二维半导体实现各种逻辑器件在技术上是困难的。
韩国科学技术研究院研究团队通过开发新型超薄电极材料（Cl-SnSe2），成功实现了基于二维半导体的电子和逻辑器件，其电气性能可以自由控制。
研究小组能够使用二维电极材料 Cl 掺杂的二硒化锡 (Cl-SnSe2) 选择性地控制半导体电子器件的电气特性。通过抑制费米能级钉扎现象显着提高了二维半导体器件的性能。有望加速人工智能系统小型化等下一代系统技术的商业化。获 取 更多前沿科技?研究 进展访问：https://byteclicks.com
这种二维电极材料非常薄表现出高透光率和柔韧性。因此，它们可用于下一代柔性透明半导体器件。
相关研究成果发表在先进材料上。
本研究中实现的二维半导体电子器件的结构（左）及其通过电子显微镜拍摄的图像（右）
版权声明：除特殊说明外，本站所有文章均为 字节点击 原创内容，采用 BY-NC-SA 知识共享协议。原文链接：https://byteclicks.com/37993.html 转载时请以链接形式标明本文地址。转载本站内容不得用于任何商业目的。本站转载内容版权归原作者所有，文章内容仅代表作者独立观点，不代表字节点击立场。报道中出现的商标、图像版权及专利和其他版权所有的信息属于其合法持有人，只供传递信息之用，非商务用途。如有侵权，请联系 gavin@byteclicks.com。我们将协调给予处理。
赞(1)
