意法半导体与MACOM成功试产硅基氮化镓原型

意法半导体宣布与MACOM成功生产了射频用硅基氮化镓GaN-on-Si原型。凭借这一成就，意法半导体和MACOM将继续合作并加强双方的关系。

射频硅基氮化镓为5G和6G基础设施提供了高潜力。目前长期存在的射频功率放大技术，即横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS），主导了早期的射频功率放大器（PA）。氮化镓可以为这些射频功率放大器提供卓越的射频特性和比LDMOS高得多的输出功率。此外，它可以在硅或碳化硅（SiC）晶圆上制造。由于电力电子对SiC晶圆的竞争，以及其特殊的加工工艺，射频碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC可能会更昂贵。而意法半导体和MACOM正在开发的硅基氮化镓技术有望提供具有竞争力的性能，并通过与标准半导体工艺流程的整合实现大规模的经济效益。

意法半导体制造的原型晶圆和器件已经达到了成本和性能目标，可以有效地与市场上现有的LDMOS和碳化硅基氮化镓技术竞争。这些原型产品现在正进入下一个重要的里程碑——资格认证和产业化。意法半导体的目标是在2022年达到这些里程碑。随着这一进展，意法半导体和MACOM已经开始讨论进一步扩大他们的合作，以加速向市场提供先进的射频硅基氮化镓产品。

意法半导体功率晶体管部门总经理兼执行副总裁Edoardo Merli表示："我们相信这项技术现在已经达到了商用的性能水平和工艺成熟度，可以有效地挑战既有的LDMOS和碳化硅基氮化镓，而且我们可以为批量应用提供有吸引力的成本和供应链优势，包括无线基础设施。射频硅基氮化镓产品的商业化是我们与MACOM合作的下一个重要里程碑，随着持续的进展，我们期待着充分实现这项激动人心的技术潜力。"

MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly表示："我们一起在推动硅基氮化镓技术走向商业化和量生方面继续取得良好进展。我们与意法半导体的合作是我们射频功率战略的重要组成部分，我相信我们能够在硅基氮化镓技术满足技术要求的目标应用中赢得市场份额。"