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长江存储已交付 192 层 3D NAND 闪存样品


  据《电子时报》报道,长江存储最近已向一些客户交付了自主研发的192层3DNAND闪存的样品,并预计在今年年底前正式推出产品。

  据透漏人表示,长江存储推出的192层3DNAND闪存芯片是具有纪念价值的里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。

  消息人士称,因128层3DNAND闪存工艺良率已改善至令人满意的水平,长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设,设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到2023年底,长江存储月产量可能超过20万片,全球市场份额有望达到7-8%。

  另一方面,美光科技推出了业内首款232层3DNAND闪存,预计将在2023年推出的新款SSD中使用。


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