联电加速布局第三代半导体制造领域

　　据中国台湾地区经济日报报道，联电加速布局难度更高、经济效益更好的 8 英寸晶圆第三代半导体制造领域，近期大举购置新机台扩产，预计下半年进驻厂区。

　　台媒指出，联电此前的第三代半导体布局，主要通过转投资联颖切入，锁定 6 英寸氮化镓产品。

　　供应链则透露，联电近期扩大第三代半导体布局，自行购置蚀刻、薄膜新机台，预计下半年将进驻 8 英寸 AB 厂，瞄准 8 英寸晶圆生产第三代半导体的经济效益优于 6 英寸晶圆的方向。

　　联电首席财务官刘启东对此回应称，集团在第三代半导体的发展上，仍以联颖为主，联电则进行研发，不过确实有在合作，但细节不便透露。

　　业界分析，第三代半导体薄膜厚度比一般晶圆代工还厚，很容易导致晶圆弯曲，考虑到制程难度，目前业界发展第三代半导体多以 6 英寸为主。不过，6 英寸晶圆半径是 5cm，8 寸晶圆半径则是 10cm，所以 8 英寸相对 6 英寸，一片可以产出的芯片量会“多出很多”，在经济效益较高的前提下，联电切入 8 英寸第三代半导体领域。