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联电大举购置新机台,积极布局8英寸第三代半导体制造


据中国台湾媒体经济日报报道,联电晶圆代工成熟制程订单满手冲之际,正在积极布局当红的第三代半导体,抢攻难度更高、经济效益更好的8吋晶圆第三代半导体制造领域,近期大举购置新机台扩产,预计下半年进驻厂区,跻身业界领先行列,为后续获利增添动能。

报道称,「联家军」出身的大将已在台湾地区的第三代半导体抢下一片天,以联电前资深副总经理徐建华退休后,转战汉磊投控,出任汉磊投控旗下汉磊与嘉晶两家公司董事长,并成功带领汉磊与嘉晶量产第三代半导体产品最为著名,联电此刻发展第三代半导体火力全开,进军难度更高的8吋领域,凸显集团能量丰沛。

联电先前第三代半导体布局,主要透过转投资联颖切入,锁定6吋氮化镓产品,主要考虑目前业界氮化镓整体解决方案提供者较少,联颖正在进行技术平台建置,完成后会把平台开放给设计公司客户使用,扩大接单利基。

供应链则透露,联电近期扩大第三代半导体布局,自行购置蚀刻、薄膜新机台,预计下半年将进驻8吋AB厂,瞄准8吋晶圆生产第三代半导体的经济效益优于6吋晶圆的方向,全力抢第三代半导体商机。

联电CFO刘启东对此回应,集团在第三代半导体的发展上,仍以联颖为主,联电则进行研发,不过确实有在合作,但细节不便透露。

业界分析,第三代半导体薄膜厚度比一般晶圆代工还厚,很容易导致晶圆弯曲,考虑制程难度,目前业界发展第三代半导体多以6吋为主。

不过,6吋晶圆半径是5公分,8吋晶圆半径则是10公分,所以8吋相对6吋,一片可以产出的晶片量会「多出很多」,在经济效益较高的前提下,联电切入8吋第三代半导体领域。

随着5G、电动车等新应用百花齐放,对高频、高速运算、高速充电需求大增,传统以硅及砷化镓为材料的第一代与第二代半导体在温度、频率、功率等已达极限,无法用于严苛环境,加上全球开始重视碳排放问题,具备高能效、低能耗的第三代半导体成为市场当红炸子鸡,也为联电开启新的获利方程式。

联电今年首季表现亮眼,单季毛利率更是季增4.3个百分点、突破四成大关,来到43.4%,并预期本季持续向上,显现联电持续开发特殊制程的效益显现,伴随跨大步推进第三代半导体版图。

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