国产三代半新突破，中科院成功制备8英寸碳化硅晶体

近期，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。

中科院方面表示，该成果转化后，将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力。