光刻机产能紧缺仅能满足60%订单需求，CrossBar开发ReRAM新用途

??芯片荒愈演愈烈：

??疫情已经进入第三年，芯片荒也依旧愈演愈烈。ASML首席执行官Peter Wennink近日表示，有大型工业公司甚至在购买洗衣机来从中获取它们需要的芯片。而ASML的光刻机产能也严重不足，仅能满足60%订单需求。

??ASML计划在今年出货55台EUV光刻机和大约240台DUV光刻机。目前ASML已经有超过500台DUV光刻机的积压订单，产品交货时间超过两年。

??ASML的目标是在2025年将年产能增加到90台EUV 0.33NA光刻机、600台DUV光刻机，以及确保大约20个高NA（0.55NA）EUV光刻机产能。

??ReRAM电阻式RAM新应用：

??ReRAM（电阻式RAM）和MRAM（磁阻式RAM）被认为是未来能够取代NAND闪存的下一代非易失性存储介质。很多玩家期盼着它能够引领未来SSD新技术革命。

??ReRAM的功耗相比NAND低20倍、写入前无需擦除、读取延迟低100倍、写入速度快1000倍、使用寿命高1000倍，85度下可断电保存数据长达10年。ReRAM具有良好的可扩展性，能够像NAND闪存那样实现3D堆叠，并且未来有机会使用10nm以下节点制造。现在有很多厂商在研发ReRAM技术，但当前技术发展水平还不足以使它进入SSD应用。

??CrossBar最近给ReRAM找到了一些新的应用方向：物联网嵌入式应用中的PUF物理不可克隆功能。

??ReRAM只需要消耗很少功耗，并且存储任何内容的功率都是恒定的，因而可以对抗功耗分析。密集的金属布线使得ReRAM可以抵御光学攻击。不基于晶体管的ReRAM不受光子发射分析的影响。ReRAM的高单元密度限制了电磁分析的有效性。

??CrossBar的ReRAM目前基于28nm工艺，它正在同Microsemi合作将其缩小到12nm节点，未来还具备10nm甚至更小的节点的潜力，拥有比NAND闪存更高的极限。有朝一日若NAND闪存发展陷入瓶颈，或许ReRAM仍有机会取而代之。