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美国研究人员开发出一种堆叠晶体薄膜的新方法


美国纽约州立大学布法罗分校(University at Buffalo, the State University of New York)的研究人员使用“配位外延”(dative epitaxy)技术,在超薄的二硒化钨薄膜上生长了一层超薄的碲化铬,将两种不同晶体材料相互叠加在一起。

研究人员发现,配位外延技术通过材料之间的范德华力将不同材料结合在一起,且会产生“配位键”(dative bonds)。该技术可以用于各种化合物半导体薄膜的高质量外延生长,对半导体、量子技术和可再生能源领域产生深远的影响。

相关研究在?Advanced Materials上发表。

UB已经提交了对位外延方法的临时专利申请,并希望通过与行业和研究合作伙伴的合作来扩大这项研究。获 取 更多前沿科技?研究 进展访问:https://byteclicks.com

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