中国科研团队在非晶氮化碳半导体光催化剂领域取得重要进展
近日，东南大学材料科学与工程学院研究团队在非晶氮化碳(ACN)半导体光催化剂领域取得重要进展，相关成果于4月8日以“Plasma-Induced Hierarchical?Amorphous Carbon Nitride Nanostructure with Two N2C-Site Vacancies for Photocatalytic H2O2?Production（等离子体诱导用于光催化产H2O2的双N2C空位分级ACN纳米结构）”为题发表在国际催化权威期刊Applied Catalysis B: Environmental (影响因子:19.503)?（doi：10.1016/j.apcatb.2022.121372）。
论文采用等离子体技术合成了具有双N2C空位的分级ACN纳米结构，并将其用于光催化产H2O2，独特的分级纳米片网络结构可以有效抑制ACN中纳米片的团聚，?而ACN可以有效抑制纳米片强量子限域效应引起的带隙变宽。通过实验和理论计算相结合，确定了等离子诱导分级ACN纳米结构中N空位的含量和位置，同时，系统研究了其在光催化产H2O2的应用及其光催化性能增强机制，证明ACN中一个单元环含双N2C位空位，非晶转变产生新的强带尾，显著增强ACN的吸收边至~593 nm。此外，电子会在N空位处聚集，一方面，ACN中原始结构和非晶结构之间的界面会引起电位降，从而形成内建电场，促进载流子迁移，另一方面，N空位产生丰富的不饱和位点，产生一定的富电子区域，有利于O2的吸附。研究结果对光催化H2O2的生产具有重要的指导意义，也为实现氮化碳在光催化领域的广泛应用提供了新的途径。
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