台湾：争取在2030年前量产1nm以下工艺

　　中国台湾相关部门昨举行院会由科技会报办公室报告「美中科技战下台湾半导体前瞻科研及人才布局」，苏贞昌昨表示，需提早布局扩大台湾产业优势；行政院科会办说，将提前布局十二吋晶圆制造的利基设备，期望在2023年前，生产小于一纳米的半导体，也要掌握关键化学品自主、确保材料优化参数不外流，并建立在地战略供应链。

　　政府发言人罗秉成会后转述指出，苏贞昌表示，台湾早已成为全球第一的半导体聚落，未来要如何维持及扩大供应链优势、确保产业人才供应无虞，都需提早布局。

　　以台积、日月光为核心打造南部半导体S廊带

　　美中贸易冲突升温，为强化、维持台湾半导体优势，行政院科技会报办公室昨（15）日表示，将朝「设备」及「材料」两方向着手，协助台湾厂商提前布局12吋晶圆制造利基设备，并正在规划推动高雄半导体材料专区，以建立南部半导体材料「S」廊带。

　　美中贸易战、科技战持续升温，在车用芯片荒后，美国政府更加重视半导体产业；美国总统拜登执政后，前联邦参议员陶德率团访台，昨日会见台湾地区领导人，提及要加强台美多方合作。而行政院会昨天也特别安排科会办就「美中科技战下台湾半导体前瞻科研及人才布局」进行报告。

　　科会办指出，近来半导体产业从材料、设备、技术、芯片及产能都已成国际竞合焦点；美国拟以500亿美元扶植芯片制造业、限制半导体技术与设备输往中国大陆；大陆也不甘示弱宣布投入第三代半导体研发；欧盟则有意抢进芯片制造市场等。

　　2030年半导体世代为超摩尔定律时代，IC应用迈向多元化与极致效能，更进一步跨向「 （埃）尺度」（1nm）。

　　科会办表示，台湾要从制造、人才、技术与资源三方向突围，扩大台湾半导体供应链优势。

　　在产业层级，政府将持续壮大串联西部硅谷带半导体产业聚落，扩大代工制造竞争优势；国家层级，要确保半导体人才供应，例如透过「创新条例」立法，催生半导体学院；全球层级，则透过设备及材料两方向，掌握战略资源与技术。

　　在设备面，要协助台湾厂商提前布局12吋晶圆制造利基设备，朝向化合物半导体发展，盼在2030年之前能生产「埃」尺度半导体；于材料面，掌握关键化学品自主、确保材料优化参数不外流，并建立在地战略供应链。

　　材料方面，则规划推动高雄半导体材料专区，要串连南科、路竹、桥头、楠梓、大社、仁武、大寮、林园、小港（大林埔）等园区，以台积电、日月光、华邦、稳懋等半导体厂为核心，建立南部半导体材料「S」廊带。

　　科会办表示，科技部也逐步更新科学园区标准厂及开发新设园区，例如今年起至2035年，投入272.57亿元经费更新竹科第三至五期标准厂房。

　　预期效益，包括厂房单元数可从88提升至196单元，总楼地板面积从5.3万多平方公尺扩增至36.6万多平方公尺，预计可引进5,848就业人口、创造年产值411.82亿元。