感应加热设备半导体器件发展现状

之前说到感应加热设备的发展已经逐渐普及化，除了能够大大提高工厂的生产效率外，对之前的加热方式导致的环境污染问题也有了很大的改进，而今天我们就来说一下电磁感应加热设备的核心部件电力半导体功率器件的发展现状与优势。

当前感应加热设备的半导体器件的发展现

我国自从进入20世纪，科学技术再次加速发展与进步，同时电力半导体功率器件的制造技术水平也不断提升，比 20世纪90年代有了非常大的进步。随着场效应晶体管（MOSFET）模块、除了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块高电压、大电流产品的等级升级，工作频率的提高，还有就是感应加热设备应用MOSFET、IGBT模块越来越普遍，尤其在大功率逆变感应加热电源中，采用IGBT 作为功率开关器件具有较大的优势，现在已经成为现代感应加热电源的主功率器件，1200A/4.5kV的IGBT已成为高频加热设备的主流配件，单模块功率容量可以达到几兆伏安，工作频率已达100kHz以上，且具有较高的可靠性，失效率仅为 1300Fit（Fit是工作条件下工作十亿小时的故障次数）。

当前感应加热设备的半导体器件的发展现

WTR感应加热设备本着为客户负责的态度，从客户的产品工件，到客户的现场工况综合出发为客户选择合适的配置，将感应加热设备的性价比发挥的更大。而且WTR的中高频产品技术实力雄厚，服务过石油化工，海洋工程，车辆制造，新能源，核电等众多领域客户，并总结出了针对不同行业的技术方案。