中科潞安深紫外LED芯片项目计划完成投资30亿元

　　8月19日下午，在山西长治市中科潞安深紫外LED项目生产车间，工作人员正在忙着生产芯片。据报道，目前，该项目工程正在稳步推进中。中科潞安整体布局，计划到2025年完成投资30亿元，达到紫外LED芯片产能18亿颗，深紫外MOCVD核心设备制造能力达到50台，深紫外单晶衬底1万片，深紫外LED封装能力18亿颗的产能目标。

　　中科潞安深紫外LED芯片项目共设立两个平台公司，分别是山西中科潞安紫外光电科技公司和山西中科潞安半导体技术研究院。

　　2018年4月成立的山西中科潞安紫外光电科技公司，主要开展紫外LED芯片和MOCVD设备、紫外杀菌设备的生产和销售。2018年5月成立的山西中科潞安半导体技术研究院，主要开展半导体材料技术、紫外封装技术、应用技术研发与工业设计、产品检验检测及行业标准制定等业务。

　　2018年4月，中科潞安深紫外LED项目正式启动，于2019年5月正式投产，是全球首条紫外LED规模化生产线。二期工程为年产3亿颗紫外LED芯片项目。

　　在未来3到5年的时间里，中科潞安将以实现国家级紫外半导体光电产业集群为目标，积极构建紫外LED产业创新生态体系，深紫外LED芯片项目产值将突破50亿元，并带动形成一个500亿级的光电产业集群。